我国芯片制造核心装备取得重要突破

在不久前的一个晴朗日子，即第17日，我国科研领域传来喜讯。据中核集团中国原子能科学研究院透露，经过不懈努力和持续的技术攻关，我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功诞生，其标志性的光束已经成功形成。这台机器的核心指标不仅达到了国际顶尖水平，更象征着我国已全面掌握了串列型高能氢离子注入机的全链条研发技术。这一重大突破，无疑攻克了功率半导体制造链中的关键环节，为高端制造装备的自主可控与产业链安全的稳固奠定了坚实基础。

离子注入机，被誉为芯片制造的四大核心装备之一，与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并列，是半导体制造不可或缺的刚需设备。长期以来，我国在高能氢离子注入机领域一直依赖国外进口。由于其研发难度大、技术壁垒高，这一问题一直是制约我国关键技术产业升级发展的瓶颈之一。

中国原子能科学研究院，凭借在核物理领域的深厚积累和数十年的努力，以串列技术为核心手段，破解了一系列技术难题。如今，我们已完全掌握了串列型高能氢离子注入机从基础原理到整机集成的正向设计能力。这一重大突破打破了国外企业在该领域的技术封锁和长期垄断，彰显了我国在自主创新之路上的坚定决心与实力。

这台成功的串列型高能氢离子注入机不仅提升了我国在功率半导体等关键领域的自主保障能力，更为助力实现“双碳”目标、加快发展新质生产力提供了强大的技术支撑。这一成果无疑是我国科研领域的一大亮点，更是对全球科技自主创新的积极贡献。